2025年07月03日 星期四
·IGBT
共有三个级，一般为G、E、C，通过G、E间加控制信号时可以改变E、C间的导通和截止。IGBT为电压型驱动器件，具备MOSFET的高速开关特性和晶体管的低导通电阻。
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