对IGBT管，G极不加电压，就不形成导电沟道，C-E极电阻很大，因此，应用数字万用表电阻“×10kΩ”档，测得C-E电阻近似为“∞”。在理论上C-E极电阻等于一个正向PN结电阻与一个反向PN结电阻串联之和。一般IGBT管E-C极电阻为续流二极管正向电阻55kQ，C-E极电阻RCE≥107Ω。
IGBT管的二极管测量
    由于绝缘栅双极晶体管通常与反并联的快速二极管封装在一起，制成模块，因此在数字万用表二极管档，用红表笔接“E”极，黑表笔接“C”极，应有0.4V左右的二极管正向电压降（对于一些没有内置二极管的型号，如GT40T101则没有电压降）。
    对于IGBT管，若G极不加电压，就不形成导电沟道，C-E极电阻很大，因此，将数字万用表置二极管档时，测得C-E为不导通。
    E-C极二极管档测量为续流二极管正向压降0.3V。
1、IGBT的使用
(1)驱动保护电路的设计
    驱动电路的设计是决定IGBT能否充分发挥其性能的关键。
    保护电路是保证IGBT在过流和过压等异常情况下避免受到损坏的重要措施，必须在充分了解器件特性的基础上，配合器件的特性进行设计。
(2)作结温散热设计
    每个IGBT都有既定的最大容许结温(Tj)，在工作时需要控制IGBT的结温不超过这个最大容许结温。一般而言，IGBT需要散热器才能工作，要根据器件的损耗进行散热设计，保证结温Tj不超过容许值。
    首先，需要计算出IGBT在电路中的损耗。IGBT工作时的损耗包括两大部分：一个是IGBT内部晶体管的损耗，另外则是IGBT的反并联二极管上的损耗。
    IGBT内部晶体管的损耗包括IGBT的导通损耗和开关损耗（开关损耗包括开通损耗和关断损耗，软开关电路中这两个损耗可能为零）。二极管上的损耗则包括二极管的导通损耗和二极管的反向恢复损耗。把所有的损耗相加即可得到IGBT工作时的总损耗，选择最大的总损耗进行热设计，IGBT工作时的最大结温可以由下面的热方程得到

式中，P∑为IGBT最大损耗功率；Rthjc为IGBT结到外壳间的热阻；Rthcs为外壳到散热器间的热阻；Rthsa为散热器到周围空间之间的热阻；Ta为外界温度。根据上述公式，确定结温Tj在容许值范围内选择合适的散热器。
(3)并联连接
    当IGBT模块用于控制大电流时，有时将器件并联使用。器件并联使用时，重要的是在设计时要使并联连接的器件中通过等量的电流。一旦电流失去平衡，有可能由于电流集中流过某单个器件而使该器件损坏。
(4)保管和使用注意事项
    电力电子设备的保管存放场所，以温度为5～35℃、相对湿度为45%～75%最为适宜。特别是IGBT和功率晶体管等，如果处于非常干燥的区域中，需要用加湿器加湿。再者，如果使用自来水，则由于自来水中所含的氯元素会使电力电子设备的导线生锈，因此需注意使用纯净水或蒸馏水。避开产生腐蚀性气体和尘埃多的场所。
在温度急剧变化的场所，电力电子设备的表面容易结露，因此要避开此类场所，将其保管在温度变化小的地方。
临时放置半导体电子设备时，应选择不易产生静电的容器。
(5)其他
    在模块的端子部位测定驱动电压( UCE)，并确认已外加既定的电压驱动电路端的电压与实际作用在IGBT上的电压，可能有偏差。
通过产品的端子部位测定开通、关断时的脉冲电压。
务必在产品的绝对最大额定值（电压、电流、温度等）范围内使用。一旦超出绝对最大额定值，可能损坏器件。
IGBT应在功率周期寿命以内使用。
    反偏栅极电压-UGE不足时，可能引起误触发，为了避免误触发，需设定足够的-UGE值（推
荐-15V)。
    如果开通du/dt偏高，则对偏置支路的IGBT可能发生误触发。为了避免误触发，需在最适当的栅极触发驱动(+UGE、-UGE., RG等)条件下使用。
2、IGBT的保护电路
    电力电子电路工作时，由于外部或操作失误等原因，为了保证用电设备和用户的安全，同时将由于非正常运行造成的损失降到最小，需要在电力电子电路中设计保护电路。
    IGBT常用的保护电路有两种：过电流保护和过电压保护。
2.1 过电流保护
    IGBT的过电流往往是由于电路中的短路引起的。当电路中发生短路时，IGBT集电极电流将急剧增加并超过额定值，集电极电流增加也引起IGBT集电极—发射极电压UCE的上升，于是IGBT功率损耗增加。长时间运行于这种状态，将使IGBT的结温超过允许值而烧毁。
    发生短路的原因可能有很多种，下面以一个三相逆变电路为例，介绍常见的短路状态：
(1)支路短路
    由于电路中IGBT或其反并联二极管损坏造成短路，如图28(a)所示。
(2)桥路直通短路
    由于控制电路、驱动电路故障或干扰引起的开关误动作造成同一桥臂上下两个IGBT同时导通，如图28(b)所示。
(3)输出短路
    由于装配失误或负载绝缘损坏造成短路，如图28(c)所示。
(4)接地短路
    由于配线等人为失误造成接地短路，如图28(d)所示。
2.2 过电流保护方法
    为了实现过电流保护，需要进行过电流状态检测。对IGBT而言，常用的过电流检测方法有两种：

    电流传感器检测法与IGBT的饱和压降检测法。
(1)电流传感器检测法
    通过在电路中加入电流传感器，通过检测电路中的电流，判断IGBT是否过电流。通过此方法可以对电路的各种短路状态进行检测和区分，从而根据不同的短路状态采取不同的保护策略，减小由于电路异常所造成的损失。
    另外，如果过快地关断IGBT中的过电流，将引起集电极与发射极之间发生过电压，造成IGBT损坏。因此，在检测出过电流以后，必须采取一定的策略关断IGBT，使关断过程落在反向偏置安全工作区(RBSOA)内，即采取所谓“柔性关断”。
(2)IGBT的饱和压降检测法
    IGBT过电流时的饱和压降UCE(sat)比正常工作时要高。
    图29是采用间接电压法的过流保护电路，它是应用IGBT过流时UCE值增大的原理来检测IGBT的过流现象。M57959AL驱动器内部电路能很好地完成软关断功能。电路中含有过电流信息的UCE经快速恢复二极管VD2检测，直接送至M57959AL的集电极电压监测端子l，8脚输出；通过U2光电耦合器，送到比较器U1A正相端与反相端的基准电压比较后输出，关断驱动信号。如果发生过流现象，驱动器M57959AL的低速切断电路慢速关断IGBT，以避免集电极因过大的di/dt形成的过电压尖峰脉冲损坏IGBT，同时也降低了干扰噪声电平。
目前，大多数IGBT的专用驱动芯片内置了类似的保护电路。
2.3 过电压保护
    这里所讲述的过电压保护特指IGBT关断时的浪涌电压抑制，不涉及具体电路中由于输入、输出或操作失误等引起的过电压而需要设计的保护电路。
因为IGBT的关断速度很快，IGBT关断或其反并联二极管反向恢复时会产生很高的di/dt，由于IGBT内部引线或外部导线寄生电感的存在，引起很高的Ldi/dt电压，即关断浪涌电压。当这个电压超过IGBT的正向耐压值时，将造成IGBT过电压击穿而损坏。

    常用的抑制IGBT关断浪涌电压的方法有以下几种：
(1)在IGBT上安装缓冲电路，在缓冲电路中使用可以吸收高频浪涌电压的薄膜电容器；
(2)调整IGBT驱动电路中的关断偏置电压-UCE和驱动栅极电阻RG，减小关断时的di/dt；
(3)降低主电路和缓冲电路中的引线电感，尽量使用更粗、更短的导线；另外，使用平板配线（分层配线）方式也可以有效地降低引线电感。
IGBT的缓冲电路有两种配置方法：一种是为每个IGBT单独配置的缓冲电路；另一种是为多个IGBT安装一个集中式的缓冲电路。
常用的单独配置缓冲电路有RC缓冲电路、充放电型RC-VD缓冲电路和放电阻止型RC-VD缓冲电路。
RC缓冲电路如图30所示。在IGBT的集电极和发射极之间并联一个RC串联支路，适用于斩波电路中。但是RC串联支路在IGBT开通时将通过IGBT进行放电，使得IGBT开通时电流增加，额外增加了IGBT负载；另外，RC缓冲电路中，每次关断以后存储在电容上的电能都将以热的形式消耗掉，它的损耗较大，不适合高频应用。RC缓冲电路的损耗为

式中：Csunber，为缓冲电路电容；Ud为IGBT截止时所承受的正向压降；fs为开关频率。
式中：L为主电路寄生电感；Ic为IGBT关断时的集电极电流；Cs为缓冲电容值；Ud为直流电压； fs为开关频率。
放电阻止型RC-VD缓冲电路结构如图32所示。适合于对同一个桥臂两个IGBT浪涌电压的吸收。它能有效地消除IGBT关断时的浪涌电压，而且缓冲电路的损耗相对前面两种缓冲电路要小，也适合于高频应用场合。它的损耗可以由下面的公式计算得到

式中：L为主电路寄生电感；Ic为IGBT关断时的集电极电流；fs为开关频率。
集中式缓冲电路适合于多个IGBT同时使用的场合，如图33所示。在该图中，通过在一个全桥逆变器的两个输出端子上并联一个RC电路，可纵对四个IGBT关断时的电压进行吸收。